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规格书 |
![]() ![]() SSM3K36MFV Mosfets Prod Guide ![]() |
标准包装 | 8,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
漏极至源极电压(VDSS) | 20V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 500mA |
Rds(最大)@ ID,VGS | 630 mOhm @ 200mA, 5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 1V @ 1mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 1.23nC @ 4V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 46pF @ 10V |
功率 - 最大 | 150mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | SOT-723 |
供应商器件封装 | VESM (1.2x1.2) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
动态目录 | N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16227?mpart=SSM3K36MFV(TL3,T)&vendor=264&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称; |
包装 | 3VESM |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 20 V |
最大连续漏极电流 | 0.5 A |
RDS -于 | 630@5V mOhm |
最大门源电压 | ±10 V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
FET特点 | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 500mA (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1V @ 1mA |
供应商设备封装 | VESM |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 630 mOhm @ 200mA, 5V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 150mW |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 46pF @ 10V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 1.23nC @ 4V |
封装/外壳 | SOT-723 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | RoHS Compliant |
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