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| 规格书 |
 TK22E10N1 |
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 100V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 52A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 13.8 mOhm @ 11A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 300µA, 10V |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 28nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1800pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 72W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 包装材料 | Tube |
| 动态目录 | N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16444?mpart=TK22E10N1,S1X&vendor=264&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 52A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 300µA |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220-3 |
| 其他名称 | TK22E10N1S1X |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 13.8 mOhm @ 11A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 72W |
| 标准包装 | 50 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1800pF @ 50V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 28nC @ 10V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 系列 | TK22E10N1 |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 52 A |
| 身高 | 15.1 mm |
| 安装风格 | Through Hole |
| 长度 | 10.16 mm |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 13.8 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| 技术 | Si |
| 品牌 | Toshiba |
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