2SK879-GR(TE85L,F)

产品描述

JFET N-CH USM

内部编号

生产厂商

数量:2775

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美国加州
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数量:702

最小起订量:1
美国费城
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规格书	2SK879
封装	Tape & Reel (TR)
安装类型	Surface Mount
电流 - 漏极（Idss ） @ VDS （ VGS = 0 ）	2.6mA @ 10V
供应商设备封装	USM
电压 - 切断（VGS关）@ Id	400mV @ 100nA
其他名称	2SK879-GR(TE85LF)TR
FET型	N-Channel
功率 - 最大	100mW
标准包装	3,000
封装/外壳	SC-70, SOT-323
输入电容（Ciss ） @ VDS	8.2pF @ 10V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
安装风格	SMD/SMT
漏源电压VDS	10 V
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	- 30 V
连续漏极电流	6.5 mA
功率耗散	100 mW
漏源电流在Vgs = 0	2.6 mA
配置	Single
栅源截止电压	- 5 V
RoHS	RoHS Compliant
输入电容	8.2 pF
工厂包装数量	3000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	10 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	- 30 V
系列	2SK879
品牌	Toshiba
Id - Continuous Drain Current	6.5 mA
Pd - Power Dissipation	100 mW

型号	厂家	产品描述
2SK879-Y(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH USM

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