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厂商型号

2SK3562(Q) 

产品描述

MOSFET N-Ch 600V 6A Rdson 1.25 Ohm

内部编号

369-2SK3562-Q

生产厂商

Toshiba

TOSHIBA

#1

数量:614
25+¥8.208
100+¥6.9065
250+¥6.4505
最小起订金额:¥100
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2SK3562(Q)产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 600V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 6A
Rds(最大)@ ID,VGS 1.25 Ohm @ 3A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 28nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1050pF @ 25V
功率 - 最大 40W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装 TO-220SIS
包装材料 Tube
连续漏极电流 6 A
栅源电压(最大值) �30 V
功率耗散 40 W
安装 Through Hole
漏源导通电阻 1.25 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-220(NIS)
引脚数 3 +Tab
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
通道模式 Enhancement
漏源导通电压 600 V
弧度硬化 No

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