图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 2A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 180 mOhm @ 1A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 5.8nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 140pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-243AA |
| 供应商器件封装 | PW-Mini (4.6x4.2) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 180@10V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | PW-Mini |
| 最大功率耗散 | 1500 |
| 最大连续漏极电流 | 2 |
| 引脚数 | 4 |
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