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厂商型号

2SK2845(TE16L1,Q) 

产品描述

MOSFET MOSFET N-Ch 900V 1A Rdson 9 Ohm

内部编号

369-2SK2845-TE16L1-Q

生产厂商

Toshiba

toshiba

#1

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2SK2845(TE16L1,Q)产品详细规格

规格书 2SK2845(TE16L1,Q) datasheet 规格书
Mosfets Prod Guide
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 900V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 1A
Rds(最大)@ ID,VGS 9 Ohm @ 500mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 15nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 350pF @ 25V
功率 - 最大 40W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 DP
包装材料 Tape & Reel (TR)
FET特点 Standard
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 1A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 1mA
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备封装 DP
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 9 Ohm @ 500mA, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 40W
标准包装 2,000
漏极至源极电压(Vdss) 900V
输入电容(Ciss ) @ VDS 350pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 15nC @ 10V

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