图片仅供参考,产品以实物为准
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 100V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 27A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 85 mOhm @ 15A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 50nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1100pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 75W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 包装材料 | Tube |
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
