图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
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| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 45A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 17 mOhm @ 25A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 110nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 3350pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 45W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商器件封装 | TO-220NIS |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220NIS |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 45 A |
| RDS -于 | 17@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型上升时间 | 25 ns |
| 典型下降时间 | 60 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
2SK2312也可以通过以下分类找到
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