规格书 |
TIP47-50 |
文档 |
Lead Frame Dimensions 29/Nov/2007 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 200 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 1A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 250V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 1V @ 200mA, 1A |
电流 - 集电极截止(最大) | 1mA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 30 @ 300mA, 10V |
功率 - 最大 | 2W |
频率转换 | 10MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220 |
包装材料 | Bulk |
包装 | 3TO-220AB |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 250 V |
集电极最大直流电流 | 1 A |
最小直流电流增益 | 30@300mA@10V|10@1A@10V |
最大工作频率 | 10(Min) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.2A@1A V |
最大集电极基极电压 | 350 V |
工作温度 | -65 to 150 °C |
最大功率耗散 | 2000 mW |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Bulk |
集电极最大直流电流 | 1 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-220 |
最低工作温度 | -65 |
最大功率耗散 | 2000 |
最大基地发射极电压 | 5 |
Maximum Transition Frequency | 10(Min) |
封装 | Bulk |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 350 |
供应商封装形式 | TO-220AB |
最大集电极发射极电压 | 250 |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 1A |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 10MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 1V @ 200mA, 1A |
电流 - 集电极截止(最大) | 1mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 250V |
供应商设备封装 | TO-220 |
功率 - 最大 | 2W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 30 @ 300mA, 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 200 |
晶体管极性 | NPN |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
零件号别名 | TIP47_NL |
安装风格 | Through Hole |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
直流集电极/增益hfe最小值 | 30 |
直流电流增益hFE最大值 | 150 |
单位重量 | 0.042823 oz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 250 V |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
集电极 - 发射极饱和电压 | 1 V |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 1 A |
增益带宽产品fT | 10 MHz |
系列 | TIP47 |
集电极 - 基极电压VCBO | 350 V |
最低工作温度 | - 65 C |
集电极电流( DC)(最大值) | 1 A |
集电极 - 基极电压 | 350 V |
集电极 - 发射极电压 | 250 V |
发射极 - 基极电压 | 5 V |
频率(最大) | 10 MHz |
功率耗散 | 2 W |
工作温度范围 | -65C to 150C |
包装类型 | TO-220AB |
元件数 | 1 |
直流电流增益(最小值) | 30 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
频率 | 10 MHz |
直流电流增益 | 30 |
集电极电流(DC ) | 1 A |
宽度 | 4.83 mm (Max) |
长度 | 10.67 mm (Max) |
身高 | 9.4 mm (Max) |
Pd - Power Dissipation | 40 W |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
TIP47也可以通过以下分类找到