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| 规格书 |
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| 标准包装 | 450 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 150V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 18A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 200 mOhm @ 9A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 130nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 3000pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 204W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 包装材料 | Tube |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | TO-3P |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | P |
| 封装 | Rail |
| 最大漏源电阻 | 200@10V |
| 最大漏源电压 | 150 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-3P |
| 最大功率耗散 | 204000 |
| 最大连续漏极电流 | 18 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 18A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 供应商设备封装 | TO-3P |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 200 mOhm @ 9A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 204W |
| 标准包装 | 450 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 150V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3000pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 130nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | :P Channel |
| Continuous Drain Current Id | :-18A |
| Drain Source Voltage Vds | :-150V |
| On Resistance Rds(on) | :200mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :-10V |
| Threshold Voltage Vgs | :-4V |
| 功耗 | :204W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-3P |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 端接类型 | :Through Hole |
| 晶体管类型 | :Power MOSFET |
| Voltage Vds Typ | :-150V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :-10V |
| Weight (kg) | 0.00001 |
| Tariff No. | 85412900 |
SFH9154也可以通过以下分类找到
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