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标准包装 | 30 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 50V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 60A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 30 mOhm @ 60A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 450nC @ 20V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 7200pF @ 25V |
功率 - 最大 | 215W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247 |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 60A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
封装/外壳 | TO-247-3 |
供应商设备封装 | TO-247 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 30 mOhm @ 60A, 10V |
FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 215W |
标准包装 | 30 |
漏极至源极电压(Vdss) | 50V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 7200pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 450nC @ 20V |
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