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| 规格书 |
 RFD12N06RLE/RLESM, RFP12N06RLE |
| 标准包装 | 75 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 18A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 63 mOhm @ 18A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 15nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 485pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 49W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 包装材料 | Tube |
| 最大门源电压 | ±16 |
| 安装 | Through Hole |
| 包装宽度 | 2.5(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 49000 |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 63@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-251 |
| 标准包装名称 | TO-251 |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 6.8(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 6.3(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 18 |
| 封装 | Rail |
| 标签 | Tab |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 18A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 标准包装 | 75 |
| 供应商设备封装 | I-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 63 mOhm @ 18A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 49W |
| 封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 485pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 15nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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