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厂商型号

QTLP610CPDTR 

产品描述

Phototransistor IR Chip Silicon 860nm 2-Pin PLCC T/R

内部编号

3-QTLP610CPDTR

#1

数量:1340
10+¥4.842
20+¥4.747
100+¥3.648
200+¥3.576
400+¥3.507
最小起订量:10
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:1340
10+¥4.842
20+¥4.747
100+¥3.648
200+¥3.576
400+¥3.507
最小起订量:10
英国伦敦
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#3

数量:1470
10+¥4.864
20+¥4.769
100+¥4.674
200+¥4.579
400+¥4.4935
最小起订量:10
英国伦敦
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

QTLP610CPDTR产品详细规格

规格书 QTLP610CPDTR datasheet 规格书
QTLP610CPDTR datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
- 集电极电流(Ic)(最大) 500µA
电流 - 暗(ID)(最大值) 100nA
波长 860nm
可视角度 160°
功率 - 最大 75mW
安装类型 Surface Mount
取向 Side View
包/盒 2-SMD, No Lead
包装 2PLCC
类型 IR Chip
光电晶体管类型 Phototransistor
最大的发射极集电极电压 5 V
最大集电极电流 3.5 mA
峰值波长 860 nm
镜片颜色 Water Clear
透镜形状类型 Domed
镜头规格 2.2x1.1 mm
观看方向 Side View
半强度角度 80 °
最大上升时间 15000(Typ) ns
极性 NPN
标准包装 Tape & Reel
产品种类 Phototransistors
RoHS RoHS Compliant
最大功率耗散 75 mW
集电极 - 发射极最大电压VCEO 30 V
集电极 - 发射极击穿电压 30 V
集电极 - 发射极饱和电压 0.4 V
下降时间 15 us
最高工作温度 + 85 C
最低工作温度 - 25 C
封装 Reel
产品 Phototransistors
上升时间 15 us
工厂包装数量 2000
波长 860 nm
最大光电流 500(Typ)
安装 Surface Mount
最大集电极发射极饱和电压 0.4
包装宽度 2.2(Max)
PCB 2
最大功率耗散 75
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的通道数 1
最大下降时间 15000(Typ)
最大暗电流 100
峰值波长 860
最低工作温度 -25
供应商封装形式 SMD
标准包装名称 SMD
最高工作温度 85
最大的发射极集电极电压 5
最大集电极发射极电压 30
包装长度 3.2(Max)
半强度角度 80
引脚数 2
包装高度 1.1(Max)
最大集电极电流 3.5
最大上升时间 15000(Typ)
铅形状 No Lead
电流 - 暗( Id)(最大) 100nA
电流 - 集电极( Ic)(最大) 500µA
定位 Side View
安装类型 Surface Mount
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
可视角度 160°
功率 - 最大 75mW
封装/外壳 2-SMD, No Lead
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
系列 QTLP610CPD
单位重量 0.004540 oz
集电极 - 发射极电压 30 V
发射极 - 集电极电压(最大值) 5 V
半强度角 80 deg
功率耗散 0.075 W
工作温度范围 -25C to 85C
包装类型 SMD
暗电流 100 nA
光电流 500 uA
元件数 1
工作温度分类 Commercial
镜头类型 Transparent
集电极 - 发射极电压星期六(最大值) 0.4 V
弧度硬化 No
检测频谱 红外
典型上升时间 15µs
频谱范围内的灵敏度 860 nm
高度 1.1mm
半感光角度 80 °
安装类型 表面安装
宽度 2.2mm
尺寸 3.2 x 2.2 x 1.1mm
针数目 2
典型下降时间 15µs
长度 3.2mm
通道数目 1
最大暗电流 100nA
检测到的最大波长 860nm
集电极电流 0.5mA

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