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厂商型号

QSD124_Q 

产品描述

Phototransistors 6mA PHOTO TRANS

内部编号

3-QSD124-Q

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

QSD124_Q产品详细规格

Status Obsolete
RoHS No
最大功率耗散 100 mW
最大暗电流 100 nA
封装/外壳 T-1 3/4
集电极 - 发射极最大电压VCEO 30 V
下降时间 7 us
最高工作温度 + 100 C
最低工作温度 - 40 C
封装 Bulk
上升时间 7 us
类型 IR Chip
寿命 Obsolete

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