图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 5.3A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 35 mOhm @ 5.3A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.8V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 30nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 720pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 900mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SOICN |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 35@10V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| 最大连续漏极电流 | 5.3 |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5.3A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.8V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 其他名称 | NDS8936TR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 35 mOhm @ 5.3A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 900mW |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 720pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 30nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 漏极电流（最大值） | 5.3 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 安装 | Surface Mount |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.035 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOIC N |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 连续漏极电流 | 5.3 A |
| 晶体管极性 | :N Channel |
| Continuous Drain Current Id | :6.7A |
| Drain Source Voltage Vds | :30V |
| On Resistance Rds(on) | :30mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1.6V |
| 功耗 | :2W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOIC |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Continuous Drain Current Id, N Channel | :5.3A |
| Current Id Max | :5.3A |
| Current Temperature | :25°C |
| Drain Source Voltage Vds, N Channel | :30V |
| 外部深度 | :5.2mm |
| External Length / Height | :1.75mm |
| 外宽 | :4.05mm |
| Full Power Rating Temperature | :25°C |
| Module Configuration | :Dual |
| No. of Transistors | :2 |
| On Resistance Rds(on), N Channel | :0.033ohm |
| 工作温度范围 | :-55��C to +150°C |
| 引脚配置 | :c |
| Pin Format | :1 S1 |
| Pulse Current Idm | :15A |
| Row Pitch | :6.3mm |
| SMD Marking | :NDS8936 |
| Voltage Vds Typ | :30V |
| Voltage Vgs Max | :20V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Weight (kg) | 0.0005 |
| Tariff No. | 85412900 |
| associated | RE932-01 EYGA121807A EYGA091203SM ICK SMD A 5 SA |
NDS8936也可以通过以下分类找到
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
