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| 规格书 |
 2N7000/02, NDS7002A Datasheet |
| 文档 |
PDN#Q1080165 17/Jan/2008 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 280mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 2 Ohm @ 500mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | - |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 280mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2 Ohm @ 500mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 50pF @ 25V |
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