图片仅供参考,产品以实物为准
| 文档 |
Mold Compound 08/April/2008 |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 4.1A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 60 mOhm @ 4.1A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 14nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 365pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 800mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 最大门源电压 | 8 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 60@4.5V |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | SuperSOT |
| 最大功率耗散 | 1600 |
| 最大连续漏极电流 | 4.1 |
| 引脚数 | 6 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4.1A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装 | 6-SSOT |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 60 mOhm @ 4.1A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 800mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 365pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 14nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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