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厂商型号

MPSW06 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Transistor General Purpose

内部编号

3-MPSW06

#1

数量:833
1+¥1.2328
25+¥1.1557
100+¥1.1557
500+¥1.0787
1000+¥1.0017
最小起订金额:¥₩600
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MPSW06产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,500
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 250mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) 100nA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 100mA, 1V
功率 - 最大 1W
频率转换 100MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供应商器件封装 TO-226
包装材料 Bulk
集电极最大直流电流 0.5
最小直流电流增益 100@10mA@1V|100@100mA@1V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最大集电极基极电压 80
最低工作温度 -55
包装高度 7.87(Max)
安装 Through Hole
最大功率耗散 1000
最大基地发射极电压 4
Maximum Transition Frequency 100(Min)
PCB 3
每个芯片的元件数 1
包装宽度 3.93(Max)
供应商封装形式 TO-226
包装长度 4.7(Max)
最大集电极发射极电压 80
类型 NPN
引脚数 3
电流 - 集电极( Ic)(最大) 500mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 250mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) 100nA
标准包装 1,500
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
供应商设备封装 TO-226
封装 Bulk
功率 - 最大 1W
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 Long Body
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 100mA, 1V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com