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厂商型号

MJD29CTF 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

内部编号

3-MJD29CTF

#1

期货
2000 ¥1.469

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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全场免运费 /报价不含任何销售税

MJD29CTF产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 700mV @ 125mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大) 50µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 15 @ 1A, 4V
功率 - 最大 1.56W
频率转换 3MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 D-Pak
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 1
安装 Surface Mount
Maximum Transition Frequency 3(Min)
包装宽度 6.1
PCB 2
最大功率耗散 1560
类型 NPN
欧盟RoHS指令 Compliant
引脚数 3
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 100
最低工作温度 -65
供应商封装形式 DPAK
标准包装名称 DPAK
最高工作温度 150
包装长度 6.6
最大集电极发射极电压 100
最小直流电流增益 40@0.2A@4V|15@1A@4V
包装高度 2.3
最大基地发射极电压 5
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1A
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 3MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 700mV @ 125mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大) 50µA
标准包装 2,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
供应商设备封装 D-Pak
功率 - 最大 1.56W
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 15 @ 1A, 4V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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