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厂商型号

KST93MTF 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

内部编号

3-KST93MTF

#1

数量:10001
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马来西亚吉隆坡
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KST93MTF产品详细规格

规格书 KST93MTF datasheet 规格书
KST92-KST93
文档 Mold Compound 12/Dec/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 200V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 2mA, 20mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 25 @ 30mA, 10V
功率 - 最大 250mW
频率转换 50MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 0.5
最小直流电流增益 25@1mA@10V|40@10mA@10V|25@30mA@10V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 50(Min)
封装 Tape and Reel
最大集电极发射极电压 200
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 200
供应商封装形式 SOT-23
最大功率耗散 250
类型 PNP
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 500mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 50MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 2mA, 20mA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 200V
供应商设备封装 SOT-23
功率 - 最大 250mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 25 @ 30mA, 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 0.5 A
集电极 - 基极电压 200 V
集电极 - 发射极电压 200 V
发射极 - 基极电压 5 V
频率(最大) 50 MHz
功率耗散 0.25 W
安装 Surface Mount
包装类型 SOT-23
元件数 1
直流电流增益(最小值) 25
弧度硬化 No
晶体管极性 PNP
频率 50 MHz
集电极电流(DC ) 0.5 A
直流电流增益 25

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