1. KST5088MTF
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厂商型号

KST5088MTF 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

内部编号

3-KST5088MTF

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

KST5088MTF产品详细规格

文档 Mold Compound 12/Dec/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 50mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 300 @ 100µA, 5V
功率 - 最大 350mW
频率转换 50MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 0.05
最小直流电流增益 300@100uA@5V|350@1mA@5V|300@10mA@5V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最大基地发射极电压 4.5
Maximum Transition Frequency 50(Min)
封装 Tape and Reel
最大集电极发射极电压 30
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 35
供应商封装形式 SOT-23
最大功率耗散 350
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 50mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 50MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 1mA, 10mA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
供应商设备封装 SOT-23
功率 - 最大 350mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 300 @ 100µA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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