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厂商型号

KSP27TA 

产品描述

Transistors Darlington NPN Si Transistor Epitaxial Darlington

内部编号

3-KSP27TA

#1

数量:1890
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
最小起订金额:¥₩600
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KSP27TA产品详细规格

文档 Copper Lead Frame 12/Oct/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
晶体管类型 NPN - Darlington
- 集电极电流(Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 1.5V @ 100µA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 10000 @ 100mA, 5V
功率 - 最大 625mW
频率转换 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Tape & Box (TB)
安装 Through Hole
最大集电极发射极饱和电压 1.5@0.1mA@100mA
包装宽度 4.19(Max)
PCB 3
最大功率耗散 625
类型 NPN
欧盟RoHS指令 Compliant
最大集电极发射极电压 60
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 60
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-92
标准包装名称 TO-92
最高工作温度 150
Maximum Continuous DC Collector Current 0.5
包装长度 5.2(Max)
引脚数 3
最小直流电流增益 10000@10mA@5V|10000@100mA@5V
包装高度 5.33(Max)
最大基地发射极电压 10
封装 Ammo
铅形状 Formed
电流 - 集电极( Ic)(最大) 500mA
晶体管类型 NPN - Darlington
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1.5V @ 100µA, 100mA
标准包装 2,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 10000 @ 100mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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