规格书 |


|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
2,000 |
晶体管类型 |
PNP - Darlington |
- 集电极电流(Ic)(最大) |
2A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
100V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC |
3V @ 40mA, 4A |
电流 - 集电极截止(最大) |
20µA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE |
1000 @ 2A, 3V |
功率 - 最大 |
1.75W |
频率转换 |
25MHz |
安装类型
|
Surface Mount |
包/盒
|
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 |
D-Pak |
包装材料
|
Tape & Reel (TR) |
包装 |
3DPAK |
配置 |
Single |
类型 |
PNP |
最大集电极发射极电压 |
100 V |
峰值直流集电极电流 |
2 A |
最小直流电流增益 |
200@4A@3V|500@500mA@3V|1000@2A@3V |
最大集电极发射极饱和电压 |
2@8mA@2A|3@40mA@4A V |
安装 |
Surface Mount |
标准包装 |
Tape & Reel |
最大的基射极饱和电压 |
4@40mA@4A |
标准包装名称 |
DPAK |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
最高工作温度 |
150 |
最大集电极发射极电压 |
100 |
最大基地发射极电压 |
5 |
封装 |
Tape and Reel |
Maximum Continuous DC Collector Current |
2 |
最大集电极发射极饱和电压 |
2@8mA@2A|3@40mA@4A |
每个芯片的元件数 |
1 |
最大集电极基极电压 |
100 |
供应商封装形式 |
DPAK |
最低工作温度 |
-65 |
铅形状 |
Gull-wing |
引脚数 |
3 |
最大功率耗散 |
1750 |
电流 - 集电极( Ic)(最大) |
2A |
晶体管类型 |
PNP - Darlington |
安装类型 |
Surface Mount |
频率 - 转换 |
25MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 |
3V @ 40mA, 4A |
电流 - 集电极截止(最大) |
20µA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
100V |
供应商设备封装 |
D-Pak |
功率 - 最大 |
1.75W |
封装/外壳 |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 |
1000 @ 2A, 3V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 |
KSH117TFCT |
工厂包装数量 |
2000 |
产品种类 |
Transistors Darlington |
晶体管极性 |
PNP |
发射极 - 基极电压VEBO |
5 V |
系列 |
KSH117 |
直流集电极/增益hfe最小值 |
200 |
集电极最大直流电流 |
2 A |
最大集电极截止电流 |
20 uA |
集电极 - 发射极最大电压VCEO |
100 V |
单位重量 |
0.009184 oz |
安装风格 |
SMD/SMT |
集电极 - 基极电压VCBO |
100 V |
最低工作温度 |
- 65 C |
零件号别名 |
KSH117TF_NL |
最高工作温度 |
+ 150 C |
RoHS |
RoHS Compliant By Exemption |
集电极电流( DC)(最大值) |
2 A |
集电极 - 基极电压 |
100 V |
集电极 - 发射极电压 |
100 V |
集电极 - 发射极饱和电压 |
2 V |
发射极 - 基极电压 |
5 V |
工作温度范围 |
-65C to 150C |
包装类型 |
DPAK |
极性 |
PNP |
元件数 |
1 |
工作温度分类 |
Military |
基射极饱和电压(最大值) |
4 V |
弧度硬化 |
No |
直流电流增益 |
200 |
集电极电流(DC ) |
2 A |
封装类型 |
DPAK |
Board Level Components |
Y |
最高工作温度 |
+150 °C |
晶体管类型 |
PNP |
最大集电极-基极截止电流 |
-20µA |
安装类型 |
表面贴装 |
最大连续集电极电流 |
-2 A |
最大集电极-发射极电压 |
-100 V |
高度 |
2.3mm |
最大基极-发射极饱和电压 |
-4 V |
最大功率耗散 |
20 W |
宽度 |
6.8mm |
尺寸 |
6.6 x 6.8 x 2.3mm |
每片芯片元件数目 |
1 |
引脚数目 |
3 |
最小直流电流增益 |
200 |
长度 |
6.6mm |
晶体管配置 |
单 |
最大发射极-基极电压 |
-5 V |
最大集电极-发射极饱和电压 |
-2 V |
最大集电极-基极电压 |
-100 V |
品牌 |
Fairchild Semiconductor |
身高 |
2.3 mm |
宽度 |
6.1 mm |
长度 |
6.6 mm |