图片仅供参考,产品以实物为准
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,000 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 3A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 500V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 1V @ 300mA, 1.5A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 15 @ 300mA, 5V |
| 功率 - 最大 | 30W |
| 频率转换 | 18MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 供应商器件封装 | TO-126 |
| 包装材料 | Bulk |
| 集电极最大直流电流 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 8@1.5A@5V |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-225-AA |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 30000 |
| 最大基地发射极电压 | 7 |
| Maximum Transition Frequency | 18(Typ) |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 800 |
| 供应商封装形式 | TO-126 |
| 最大集电极发射极电压 | 500 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 3A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 18MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1V @ 300mA, 1.5A |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 500V |
| 供应商设备封装 | TO-126 |
| 封装 | Bulk |
| 功率 - 最大 | 30W |
| 封装/外壳 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 15 @ 300mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 频率 - 跃迁 | 18MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 1V @ 300mA, 1.5A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 15 @ 300mA, 5V |
| 封装/外壳 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 功率 - 最大值 | 30W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 3A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 500V |
KSE5020S相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家