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厂商型号

KSC2328AOBU 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Epitaxial Sil

内部编号

3-KSC2328AOBU

#1

数量:6107
1+¥0.5394
25+¥0.5394
100+¥0.4623
500+¥0.4623
1000+¥0.4623
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:6107
1+¥0.5394
25+¥0.5394
100+¥0.4623
500+¥0.4623
1000+¥0.4623
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KSC2328AOBU产品详细规格

规格书 KSC2328AOBU datasheet 规格书
KSC2328A
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 6,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 2V @ 30mA, 1.5A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 500mA, 2V
功率 - 最大 1W
频率转换 120MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供应商器件封装 TO-92L
包装材料 Bulk
集电极最大直流电流 2
最小直流电流增益 100@500mA@2V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
最低工作温度 -55
最大功率耗散 1000
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 120(Typ)
封装 Bulk
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 30
供应商封装形式 TO-92L
最大集电极发射极电压 30
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 2A
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 120MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 2V @ 30mA, 1.5A
标准包装 6,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
供应商设备封装 TO-92L
功率 - 最大 1W
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 Long Body
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 500mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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