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规格书 |
![]() KSB1366 |
文档 |
Multiple Devices 14/Mar/2011 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 3A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 60V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 1V @ 200mA, 2A |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 100 @ 500mA, 5V |
功率 - 最大 | 2W |
频率转换 | 9MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 Full Pack |
供应商器件封装 | TO-220F |
包装材料 | Tube |
集电极最大直流电流 | 3 |
最小直流电流增益 | 100@500mA@5V |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-220F |
最低工作温度 | -55 |
最大功率耗散 | 2000 |
最大基地发射极电压 | 7 |
Maximum Transition Frequency | 9(Typ) |
封装 | Rail |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 60 |
供应商封装形式 | TO-220F |
最大集电极发射极电压 | 60 |
类型 | PNP |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 3A |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 9MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 1V @ 200mA, 2A |
标准包装 | 50 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 60V |
供应商设备封装 | TO-220F |
功率 - 最大 | 2W |
封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 100 @ 500mA, 5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
集电极电流( DC)(最大值) | 3 A |
集电极 - 基极电压 | 60 V |
集电极 - 发射极电压 | 60 V |
发射极 - 基极电压 | 7 V |
频率(最大) | 9 MHz |
功率耗散 | 2 W |
安装 | Through Hole |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | TO-220F |
元件数 | 1 |
直流电流增益(最小值) | 100 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
晶体管极性 | PNP |
频率 | 9 MHz |
集电极电流(DC ) | 3 A |
直流电流增益 | 100 |
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