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厂商型号

KSB1149OS 

产品描述

Transistors Darlington PNP Silicon Darl

内部编号

3-KSB1149OS

#1

期货
1 ¥2.04

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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全场免运费 /报价不含任何销售税

KSB1149OS产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
晶体管类型 PNP - Darlington
- 集电极电流(Ic)(最大) 3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 1.2V @ 1.5mA, 1.5A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 2000 @ 1.5A, 2V
功率 - 最大 1.3W
频率转换 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-225AA, TO-126-3
供应商器件封装 TO-126
包装材料 Bulk
最大的基射极饱和电压 2@1.5mA@1.5A
标准包装名称 TO-225-AA
最小直流电流增益 2000@1.5A@2V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最大集电极发射极电压 100
最大基地发射极电压 8
封装 Bulk
Maximum Continuous DC Collector Current 3
最大集电极发射极饱和电压 1.2@1.5mA@1.5A
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 100
供应商封装形式 TO-126
最低工作温度 -55
铅形状 Through Hole
类型 PNP
引脚数 3
最大功率耗散 1300
电流 - 集电极( Ic)(最大) 3A
晶体管类型 PNP - Darlington
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1.2V @ 1.5mA, 1.5A
标准包装 2,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
供应商设备封装 TO-126
功率 - 最大 1.3W
封装/外壳 TO-225AA, TO-126-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 2000 @ 1.5A, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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