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厂商型号

KSA1175RTA 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT PNP Epitaxial Transistor

内部编号

3-KSA1175RTA

#1

期货
1 ¥0.242

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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全场免运费 /报价不含任何销售税

KSA1175RTA产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 150mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 300mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 40 @ 1mA, 6V
功率 - 最大 250mW
频率转换 180MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 Short Body Formed Leads
供应商器件封装 TO-92S
包装材料 Tape & Box (TB)
集电极最大直流电流 0.15
最小直流电流增益 40@1mA@6V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
最低工作温度 -55
最大功率耗散 250
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 180(Typ)
封装 Ammo
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 60
供应商封装形式 TO-92S
最大集电极发射极电压 50
类型 PNP
引脚数 3
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 150mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 180MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 300mV @ 10mA, 100mA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 TO-92S
功率 - 最大 250mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 Short Body Formed Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 40 @ 1mA, 6V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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