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图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 J111-13, MMBFJ111-13 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电流 - 漏（IDSS），VDS（VGS = 0） | 5mA @ 15V |
| 漏极至源极电压（VDSS） | - |
| 漏电流（ID） - 最大 | - |
| FET 型 | N-Channel |
| - 击穿电压（V（BR）的GSS） | 35V |
| - 截止电压（VGS的关闭）@ ID | 1V @ 1µA |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | - |
| 电阻 - RDS（ON） | 50 Ohm |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 包装 | 3TO-92 |
| 配置 | Single |
| 最大门源电压 | -35 V |
| 最大漏极栅极电压 | 35 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 标准包装 | Ammo Pack |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 电压 - 击穿（ V（BR ） GSS ） | 35V |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 漏极（Idss ） @ VDS （ VGS = 0 ） | 5mA @ 15V |
| 电阻 - RDS（ON） | 50 Ohm |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 电压 - 切断（VGS关）@ Id | 1V @ 1µA |
| FET型 | N-Channel |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | J112_D26ZCT |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 产品种类 | JFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | - 35 V |
| 系列 | J112 |
| 单位重量 | 0.007090 oz |
| RDS（ON） | 50 Ohms |
| 功率耗散 | 625 mW |
| 安装风格 | Through Hole |
| 漏源电流在Vgs = 0 | 5 mA |
| 栅源截止电压 | - 5 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| FET 类型 | N-Channel |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 35V |
| 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） | 1V @ 1µA |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 电阻 - RDS（开） | 50 Ohm |
| 功率 - 最大值 | 625mW |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss) | 5mA @ 15V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | - 35 V |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 50 Ohms |
| Pd - Power Dissipation | 625 mW |
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