标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 200V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 2.7A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 1.5 Ohm @ 1.35A, 5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 9nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 240pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.5W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | D-Pak |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
最大门源电压 | ±20 |
安装 | Surface Mount |
包装宽度 | 6.1 |
PCB | 2 |
最大功率耗散 | 2500 |
最大漏源电压 | 200 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 1500@5V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | DPAK |
标准包装名称 | DPAK |
最高工作温度 | 150 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 6.6 |
引脚数 | 3 |
通道模式 | Enhancement |
包装高度 | 2.3 |
最大连续漏极电流 | 2.7 |
封装 | Tape and Reel |
标签 | Tab |
铅形状 | Gull-wing |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 2.7A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2V @ 250µA |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商设备封装 | D-Pak |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 1.5 Ohm @ 1.35A, 5V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 2.5W |
标准包装 | 2,500 |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 240pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 9nC @ 5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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