标准包装 | 70 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 200V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 4.6A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 800 mOhm @ 2.3A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 16nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 390pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.5W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
供应商器件封装 | I-Pak |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 4.6A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
供应商设备封装 | I-Pak |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 800 mOhm @ 2.3A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 2.5W |
标准包装 | 70 |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 390pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 16nC @ 10V |
工厂包装数量 | 70 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | +/- 30 V |
连续漏极电流 | 4.6 A |
系列 | IRFU220 |
安装风格 | Through Hole |
RDS(ON) | 800 mOhms |
功率耗散 | 2.5 W |
最低工作温度 | - 55 C |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 200 V |
RoHS | RoHS Compliant |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
Id - Continuous Drain Current | 4.6 A |
Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
长度 | 10.67 mm |
身高 | 16.3 mm |
通道数 | 1 Channel |
技术 | Si |
Rds On - Drain-Source Resistance | 800 mOhms |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
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