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厂商型号

HUFA76609D3ST_F085 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

内部编号

3-HUFA76609D3ST-F085

#1

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HUFA76609D3ST_F085产品详细规格

文档 Multiple Devices 13/Aug/2010
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 10A
Rds(最大)@ ID,VGS 160 mOhm @ 10A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 16nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 425pF @ 25V
功率 - 最大 49W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 D-Pak
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3TO-252AA
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 100 V
最大连续漏极电流 10 A
RDS -于 160@10V mOhm
最大门源电压 ±16 V
典型导通延迟时间 10|6 ns
典型上升时间 41|18 ns
典型关闭延迟时间 30|55 ns
典型下降时间 28|39 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 10A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 100V
供应商设备封装 D-Pak
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 160 mOhm @ 10A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 49W
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
输入电容(Ciss ) @ VDS 425pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 16nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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