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规格书 |
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文档 |
Multiple Devices 13/Aug/2010 |
标准包装 | 400 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 55V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 75A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 8 mOhm @ 75A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 210nC @ 20V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 3200pF @ 25V |
功率 - 最大 | 285W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
供应商器件封装 | TO-262AA |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-262 |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 55 V |
最大连续漏极电流 | 75 A |
RDS -于 | 8@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 13 ns |
典型上升时间 | 125 ns |
典型关闭延迟时间 | 46 ns |
典型下降时间 | 57 ns |
工作温度 | -55 to 175 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
最大门源电压 | ±20 |
包装宽度 | 4.5 |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 285000 |
最大漏源电压 | 55 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 8@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | TO-262 |
标准包装名称 | I2PAK |
最高工作温度 | 175 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 9.9 |
引脚数 | 3 |
包装高度 | 9.2 |
最大连续漏极电流 | 75 |
封装 | Rail |
标签 | Tab |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 75A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
供应商设备封装 | TO-262AA |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 8 mOhm @ 75A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 285W |
封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 3200pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 210nC @ 20V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
连续漏极电流 | 75 A |
栅源电压(最大值) | �20 V |
功率耗散 | 285 W |
漏源导通电阻 | 0.008 ohm |
工作温度范围 | -55C to 175C |
包装类型 | TO-262 |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏源导通电压 | 55 V |
弧度硬化 | No |
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