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厂商型号

HGT1S10N120BNS 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail

内部编号

3-HGT1S10N120BNS

#1

数量:493
1+¥30.9741
25+¥28.7396
100+¥27.5839
500+¥26.5052
1000+¥25.1183
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:493
1+¥30.9741
25+¥28.7396
100+¥27.5839
500+¥26.5052
1000+¥25.1183
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:493
最小起订金额:¥₩600
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

HGT1S10N120BNS产品详细规格

规格书 HGT1S10N120BNS datasheet 规格书
HGT1S10N120BNS datasheet 规格书
HGT(G,P)10N120BN, HGT1S10N120BNS
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
IGBT 型 NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
- 集电极电流(Ic)(最大) 35A
功率 - 最大 298W
Input 型 Standard
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 TO-263AB
包装材料 Tube
包装 3TO-263AB
配置 Single
最大集电极发射极电压 1200 V
最大连续集电极电流 35 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Surface Mount
标准包装 Rail / Tube
供应商封装形式 TO-263AB
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 35
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 D2PAK
渠道类型 N
封装 Rail
最大集电极发射极电压 1200
最大功率耗散 298000
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
栅极电荷 100nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 35A
安装类型 Surface Mount
开关能量 0.32mJ (on), 0.80mJ (off)
时间Td(开/关) @ 25°C 23ns/165ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.7V @ 15V, 10A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
供应商设备封装 TO-263AB
功率 - 最大 298W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IGBT类型 NPT
测试条件 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 80A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
输入类型 Standard
测试条件 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 80A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 2.7V @ 15V, 10A
Td (on/off) A 25°C 23ns/165ns
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
闸极电荷 100nC
功率 - 最大值 298W
IGBT 类型 NPT
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 35A
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200V

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