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厂商型号

FQPF5N20 

产品描述

MOSFET N-CH/200V/3.5A/1.2OHM

内部编号

3-FQPF5N20

#1

数量:1000
1+¥1.541
25+¥1.3869
100+¥1.3869
500+¥1.3098
1000+¥1.2328
最小起订金额:¥₩600
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#2

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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原厂背书质量,全面技术支持

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全场免运费 /报价不含任何销售税

FQPF5N20产品详细规格

标准包装 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 200V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 3.5A
Rds(最大)@ ID,VGS 1.2 Ohm @ 1.75A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 7.5nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 270pF @ 25V
功率 - 最大 32W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装 TO-220F
包装材料 Tube
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 3.5A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 200V
标准包装 50
供应商设备封装 TO-220F
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 1.2 Ohm @ 1.75A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 32W
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack
输入电容(Ciss ) @ VDS 270pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 7.5nC @ 10V

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