图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 250V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 25.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 110 mOhm @ 12.75A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 65nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2450pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 180W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220AB |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 250 V |
| 最大连续漏极电流 | 25.5 A |
| RDS -于 | 110@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 32 ns |
| 典型上升时间 | 270 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 80 ns |
| 典型下降时间 | 120 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 包装宽度 | 4.7(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 180000 |
| 最大漏源电压 | 250 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 110@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-220AB |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 10.1(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 9.4(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 25.5 |
| 封装 | Rail |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 25.5A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 250V |
| 供应商设备封装 | TO-220 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 110 mOhm @ 12.75A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 180W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2450pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 65nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.1 x 4.7 x 9.4mm |
| 身高 | 9.4mm |
| 长度 | 10.1mm |
| 最大漏源电阻 | 0.11 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 180 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-220, TO-220AB |
| 典型栅极电荷@ VGS | 50 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 1900 pF V @ 25 |
| 宽度 | 4.7mm |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 25.5 A |
| 零件号别名 | FQP27N25_NL |
| 下降时间 | 120 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 单位重量 | 0.063493 oz |
| 正向跨导 - 闵 | 24 S |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 系列 | FQP27N25 |
| RDS（ON） | 110 mOhms |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 180 W |
| 上升时间 | 270 ns |
| 漏源击穿电压 | 250 V |
| 漏极电流（最大值） | 25.5 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �30 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.11 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 250 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :25.5A |
| Drain Source Voltage Vds | :250V |
| On Resistance Rds(on) | :110mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :5V |
| No. of Pins | :3 |
| Weight (kg) | 0.00001 |
| Tariff No. | 85412100 |
| associated | TP0006 273-AB |
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