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厂商型号

FQB2N30TM 

产品描述

MOSFET N-CH/300V/2.1A/3.7OHM

内部编号

3-FQB2N30TM

#1

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美国费城
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FQB2N30TM产品详细规格

规格书 D2-PAK Tape and Reel Data
标准包装 800
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 300V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 2.1A
Rds(最大)@ ID,VGS 3.7 Ohm @ 1.05A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 5nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 130pF @ 25V
功率 - 最大 3.13W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 D²PAK
包装材料 Tape & Reel (TR)
最大门源电压 ±30
安装 Surface Mount
包装宽度 9.65(Max)
PCB 2
最大功率耗散 3130
最大漏源电压 300
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 3700@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 D2PAK
标准包装名称 D2PAK
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 10.67(Max)
引脚数 3
通道模式 Enhancement
包装高度 4.83(Max)
最大连续漏极电流 2.1
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 2.1A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 300V
标准包装 800
供应商设备封装 D²PAK
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 3.7 Ohm @ 1.05A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 3.13W
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
输入电容(Ciss ) @ VDS 130pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 5nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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