图片仅供参考,产品以实物为准
| 标准包装 | 360 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 900V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 7.2A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 960 mOhm @ 3.6A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 94nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 3500pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 120W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | SC-94 |
| 供应商器件封装 | TO-3PF |
| 包装材料 | Tube |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 安装 | Through Hole |
| 包装宽度 | 5.5 |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 120000 |
| 最大漏源电压 | 900 |
| 欧盟RoHS指令 | Supplier Unconfirmed |
| 最大漏源电阻 | 960@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-3PF |
| 标准包装名称 | TO-3PF |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 15.5 |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 16.5 |
| 最大连续漏极电流 | 7.2 |
| 封装 | Rail |
| 标签 | Tab |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 7.2A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 900V |
| 标准包装 | 360 |
| 供应商设备封装 | TO-3PF |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 960 mOhm @ 3.6A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 120W |
| 封装/外壳 | SC-94 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3500pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 94nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 15.7 x 5.7 x 16.7mm |
| 身高 | 16.7mm |
| 长度 | 15.7mm |
| 最大连续漏极电流 | 7 A |
| 最大漏源电阻 | 1.1 Ω |
| 最大漏源电压 | 900 V |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 120 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-3PF |
| 典型栅极电荷@ VGS | 60 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 2530 pF V @ 25 |
| 典型关闭延迟时间 | 130 ns |
| 典型导通延迟时间 | 60 ns |
| 宽度 | 5.7mm |
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