#1 |
数量:0 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货,5-8个工作日送达. |
|
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 30 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 800V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 6.3A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 1.95 Ohm @ 3.15A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 31nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1500pF @ 25V |
功率 - 最大 | 185W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-3P-3, SC-65-3 |
供应商器件封装 | TO-3PN |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 6.3A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 800V |
标准包装 | 30 |
供应商设备封装 | TO-3PN |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 1.95 Ohm @ 3.15A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 185W |
封装/外壳 | TO-3P-3, SC-65-3 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1500pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 31nC @ 10V |
FQA6N80_F109相关搜索