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| 标准包装 | 450 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 900V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 5.8A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 2.3 Ohm @ 2.9A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 40nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1550pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 185W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 包装材料 | Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5.8A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 900V |
| 标准包装 | 450 |
| 供应商设备封装 | TO-3P |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2.3 Ohm @ 2.9A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 185W |
| 封装/外壳 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1550pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 40nC @ 10V |
| 漏源极电压 (Vdss) | 900V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1550pF @ 25V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 2.3 Ohm @ 2.9A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 40nC @ 10V |
| FET 功能 | Standard |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 功率 - 最大值 | 185W |
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