FPN530

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Transistors Bipolar - BJT NPN Transistor Low Saturation

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Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	1,500
晶体管类型	NPN
- 集电极电流（Ic）（最大）	3A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	30V
Vce饱和（最大）@ IB，IC	300mV @ 100mA, 1A
电流 - 集电极截止（最大）	-
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE	100 @ 100mA, 2V
功率 - 最大	1W
频率转换	150MHz
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供应商器件封装	TO-226
包装材料	Bulk
集电极最大直流电流	3
最小直流电流增益	100@100mA@2V\|120@1A@2V\|80@2A@2V
欧盟RoHS指令	Compliant
最高工作温度	150
最大集电极基极电压	60
最低工作温度	-55
包装高度	7.87(Max)
安装	Through Hole
最大功率耗散	1000
最大基地发射极电压	5
Maximum Transition Frequency	150(Min)
PCB	3
每个芯片的元件数	1
包装宽度	3.93(Max)
供应商封装形式	TO-226
包装长度	4.7(Max)
最大集电极发射极电压	30
类型	NPN
引脚数	3
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	3A
晶体管类型	NPN
安装类型	Through Hole
频率 - 转换	150MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件	300mV @ 100mA, 1A
标准包装	1,500
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	30V
供应商设备封装	TO-226
封装	Bulk
功率 - 最大	1W
封装/外壳	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时	100 @ 100mA, 2V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant

型号	厂家	产品描述
FPN530A	Fairchild Semiconductor	Transistors Bipolar - BJT NPN Transistor Low Saturation
FPN530A	rochester electronics
FPN530A_Q	Fairchild Semiconductor	Transistors Bipolar - BJT NPN Transistor Low Saturation
FPN530_Q	Fairchild Semiconductor	Transistors Bipolar - BJT NPN Transistor Low Saturation

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