图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
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| 文档 |
Mold Compound 12/Dec/2007 SOT23 Manufacturing Source 31/May2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| 晶体管类型 | PNP - Pre-Biased |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻 - 基地（R1）（欧姆） | 4.7k |
| 电阻器 - 发射基地（R2）（欧姆） | 4.7k |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 20 @ 10mA, 5V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 频率转换 | 200MHz |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3SOT-23 |
| 配置 | Single |
| 类型 | PNP |
| 最大集电极发射极电压 | 50 V |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 最小直流电流增益 | 20@10mA@5V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.3@0.5mA@10mA |
| 包装宽度 | 1.3 |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 200 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 100 |
| 最大集电极发射极电压 | 50 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 2.92 |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 0.93 |
| 典型输入电阻 | 4.7 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | PNP - Pre-Biased |
| 频率 - 转换 | 200MHz |
| 电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆） | 4.7k |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆） | 4.7k |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 20 @ 10mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 典型输入电阻 | 4.7 KOhms |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | Transistors Switching - Resistor Biased |
| 晶体管极性 | PNP |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 系列 | FJV4101R |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 20 |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 单位重量 | 0.002116 oz |
| 发射极 - 基极电压VEBO | - 10 V |
| 功率耗散 | 0.2 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 连续集电极电流 | - 0.1 A |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极 - 发射极电压 | 50 V |
| 包装类型 | SOT-23 |
| 直流电流增益（最小值） | 20 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 直流电流增益 | 20 |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA (ICBO) |
| 其他名称 | FJV4101RMTFDKR |
| 频率 - 跃迁 | 200MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 晶体管类型 | PNP - Pre-Biased |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 4.7k |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 20 @ 10mA, 5V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 4.7k |
| 长度 | 2.92mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 高度 | 0.93mm |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 宽度 | 1.3mm |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 最大集电极-发射极电压 | -50 V |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -0.3 V |
| 引脚数目 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 20 |
| 尺寸 | 2.92 x 1.3 x 0.93mm |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kΩ |
| 最大发射极-基极电压 | -10 V |
| 典型电阻比 | 1 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续集电极电流 | -100 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 直流电流增益hFE最大值 | 20 |
| 长度 | 2.92 mm |
| 身高 | 0.93 mm |
| Pd - Power Dissipation | 0.2 W |
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