#1 |
数量:510 |
|
最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
|
规格书 |
![]() FJP5554 |
文档 |
Lead Frame Dimensions 29/Nov/2007 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1,000 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 4A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 400V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 1.5V @ 1A, 3.5A |
电流 - 集电极截止(最大) | 250µA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 20 @ 800mA, 3V |
功率 - 最大 | 70W |
频率转换 | - |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220 |
包装材料 | Tube |
集电极最大直流电流 | 4 |
最小直流电流增益 | 45@0.1A@5V|20@0.8A@3V |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-220 |
最低工作温度 | -55 |
最大功率耗散 | 70000 |
最大基地发射极电压 | 15 |
封装 | Rail |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 1050 |
供应商封装形式 | TO-220AB |
最大集电极发射极电压 | 400 |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 4A |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Through Hole |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 1.5V @ 1A, 3.5A |
电流 - 集电极截止(最大) | 250µA |
标准包装 | 1,000 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 400V |
供应商设备封装 | TO-220 |
功率 - 最大 | 70W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 20 @ 800mA, 3V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |