FJA4210RTU

产品描述

Transistors Bipolar - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

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数量:10

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美国加州
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规格书	FJA4210O
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	30
晶体管类型	PNP
- 集电极电流（Ic）（最大）	10A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	140V
Vce饱和（最大）@ IB，IC	500mV @ 500mA, 5A
电流 - 集电极截止（最大）	-
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE	50 @ 3A, 4V
功率 - 最大	100W
频率转换	30MHz
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装	TO-3PN
包装材料	Tube
集电极最大直流电流	10
最小直流电流增益	50@3A@4V
欧盟RoHS指令	Compliant
最高工作温度	150
标准包装名称	TO-3P
最低工作温度	-55
最大功率耗散	100000
最大基地发射极电压	6
Maximum Transition Frequency	30(Typ)
封装	Rail
每个芯片的元件数	1
最大集电极基极电压	200
供应商封装形式	TO-3P
最大集电极发射极电压	140
类型	PNP
引脚数	3
铅形状	Through Hole
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	10A
晶体管类型	PNP
安装类型	Through Hole
频率 - 转换	30MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件	500mV @ 500mA, 5A
标准包装	30
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	140V
供应商设备封装	TO-3PN
功率 - 最大	100W
封装/外壳	TO-3P-3, SC-65-3
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时	50 @ 3A, 4V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant

型号	厂家	产品描述
FJA4210OTU	fairchild semiconductor	Trans GP BJT PNP 140V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N) Rail
FJA4210OTU	rochester electronics
FJA4210YTU	Fairchild Semiconductor	Transistors Bipolar - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

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