图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

FJA4210RTU 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

内部编号

3-FJA4210RTU

#1

数量:10
1+¥12.906
25+¥10.815
100+¥8.724
250+¥7.859
500+¥6.891
1000+¥5.933
最小起订量:1
美国加州
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FJA4210RTU产品详细规格

规格书 FJA4210RTU datasheet 规格书
FJA4210O
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 30
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 10A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 140V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 500mA, 5A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 50 @ 3A, 4V
功率 - 最大 100W
频率转换 30MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装 TO-3PN
包装材料 Tube
集电极最大直流电流 10
最小直流电流增益 50@3A@4V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-3P
最低工作温度 -55
最大功率耗散 100000
最大基地发射极电压 6
Maximum Transition Frequency 30(Typ)
封装 Rail
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 200
供应商封装形式 TO-3P
最大集电极发射极电压 140
类型 PNP
引脚数 3
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 10A
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 30MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 500mA, 5A
标准包装 30
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 140V
供应商设备封装 TO-3PN
功率 - 最大 100W
封装/外壳 TO-3P-3, SC-65-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 50 @ 3A, 4V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

FJA4210RTU系列产品

FJA4210RTU相关搜索

订购FJA4210RTU.产品描述:Transistors Bipolar - BJT PNP Si Transistor Epitaxial. 生产商: Fairchild Semiconductor.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-82149028
    010-62155488
    010-56429953
    010-82138869
    010-82149921
    010-62165661
    010-62110889
    010-62178861
    010-57196138
    010-82149008
    010-62153988
    010-56429923
    010-82149488
    15810325240
    010-82149466
  • 深圳
  • 0755-82511472
    0755-83975736
    0755-83997440
    0755-83247615
  • 苏州
  • 0512-68796728
    0512-67483580
    0512-67687578
    0512-67684200
    0512-67683728
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com