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数量:10 |
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规格书 |
![]() FJA4210O |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 30 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 10A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 140V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 500mV @ 500mA, 5A |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 50 @ 3A, 4V |
功率 - 最大 | 100W |
频率转换 | 30MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-3P-3, SC-65-3 |
供应商器件封装 | TO-3PN |
包装材料 | Tube |
集电极最大直流电流 | 10 |
最小直流电流增益 | 50@3A@4V |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-3P |
最低工作温度 | -55 |
最大功率耗散 | 100000 |
最大基地发射极电压 | 6 |
Maximum Transition Frequency | 30(Typ) |
封装 | Rail |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 200 |
供应商封装形式 | TO-3P |
最大集电极发射极电压 | 140 |
类型 | PNP |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 10A |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 30MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 500mV @ 500mA, 5A |
标准包装 | 30 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 140V |
供应商设备封装 | TO-3PN |
功率 - 最大 | 100W |
封装/外壳 | TO-3P-3, SC-65-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 50 @ 3A, 4V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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