1. FGA70N33BTDTU
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厂商型号

FGA70N33BTDTU 

产品描述

IGBT Transistors N-Ch/ 70A 330V PDP

内部编号

3-FGA70N33BTDTU

#1

数量:351
1+¥15.6411
25+¥14.4854
100+¥13.869
500+¥13.3296
1000+¥12.7132
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:351
1+¥15.6411
25+¥14.4854
100+¥13.869
500+¥13.3296
1000+¥12.7132
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FGA70N33BTDTU产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 30
IGBT 型 Trench
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 330V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 70A
- 集电极电流(Ic)(最大) -
功率 - 最大 149W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装 TO-3PN
包装材料 Tube
供应商封装形式 TO-3P(N)
最大栅极发射极电压 ±30
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-3P(N)
渠道类型 N
封装 Tube
最大集电极发射极电压 330
最大功率耗散 149000
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Through Hole
栅极电荷 49nC
安装类型 Through Hole
标准包装 30
时间Td(开/关) @ 25°C 13ns/46ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 1.7V @ 15V, 70A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 330V
供应商设备封装 TO-3PN
反向恢复时间(trr ) 23ns
功率 - 最大 149W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-3P-3, SC-65-3
IGBT类型 Trench
测试条件 200V, 20A, 5 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 220A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极 - 发射极电压 330 V
安装 Through Hole
包装类型 TO-3PN
工作温度(最大) 150C
工作温度(最小值) -55C
工作温度分类 Military
配置 Single
Gate to Emitter Voltage (Max) �30 V
弧度硬化 No
输入类型 Standard
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 220A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 1.7V @ 15V, 70A
封装/外壳 TO-3P-3, SC-65-3
反向恢复时间 (trr) 23ns
闸极电荷 49nC
功率 - 最大值 149W
IGBT 类型 Trench
电压 - 集射极击穿(最大值) 330V

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