1. FDW2521C
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

FDW2521C 

产品描述

MOSFET 20V/-20V N/P

内部编号

3-FDW2521C

#1

数量:43486
1+¥10.6329
25+¥9.8624
100+¥9.4001
500+¥9.0919
1000+¥8.6296
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:43486
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:43486
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FDW2521C产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 N and P-Channel
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 5.5A, 3.8A
Rds(最大)@ ID,VGS 21 mOhm @ 5.5A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 17nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1082pF @ 10V
功率 - 最大 600mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
供应商器件封装 8-TSSOP
包装材料 Tape & Reel (TR)
最大门源电压 ±12
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
通道模式 Enhancement
标准包装名称 TSSOP
最低工作温度 -55
渠道类型 N|P
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 21@4.5V@N Channel|43@4.5V@P Channel
最大漏源电压 20
每个芯片的元件数 2
供应商封装形式 TSSOP
最大功率耗散 1000
最大连续漏极电流 5.5@N Channel|3.8@P Channel
引脚数 8
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 5.5A, 3.8A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 20V
供应商设备封装 8-TSSOP
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 21 mOhm @ 5.5A, 4.5V
FET型 N and P-Channel
功率 - 最大 600mW
标准包装 2,500
输入电容(Ciss ) @ VDS 1082pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 17nC @ 4.5V
封装/外壳 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
漏源极电压 (Vdss) 20V
系列 PowerTrench®
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1082pF @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 21 mOhm @ 5.5A, 4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 17nC @ 4.5V
FET 功能 Logic Level Gate
FET 类型 N and P-Channel
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
封装/外壳 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
功率 - 最大值 600mW

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