规格书 |
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Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 20V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 7.5A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 1.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 28nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2152pF @ 10V |
功率 - 最大 | 1.1W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) |
供应商器件封装 | 8-TSSOP |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
最大门源电压 | ±12 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
通道模式 | Enhancement |
标准包装名称 | TSSOP |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 19@4.5V |
最大漏源电压 | 20 |
每个芯片的元件数 | 2 |
供应商封装形式 | TSSOP |
最大功率耗散 | 1600 |
最大连续漏极电流 | 7.5 |
引脚数 | 8 |
铅形状 | Gull-wing |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 7.5A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1.5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
供应商设备封装 | 8-TSSOP |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
功率 - 最大 | 1.1W |
标准包装 | 2,500 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 2152pF @ 10V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 28nC @ 4.5V |
封装/外壳 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
系列 | PowerTrench® |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2152pF @ 10V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 28nC @ 4.5V |
FET 功能 | Logic Level Gate |
FET 类型 | 2 N-Channel (Dual) |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
封装/外壳 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
功率 - 最大值 | 1.1W |
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