图片仅供参考,产品以实物为准
标准包装 | 1,800 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 80V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 7.7A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 29 mOhm @ 7.7A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 79nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1760pF @ 40V |
功率 - 最大 | 1.6W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
供应商器件封装 | I-Pak |
包装材料 | Tube |
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