图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 14.9A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 7 mOhm @ 14.9A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 73nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 3845pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SOICN |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8SOIC N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大连续漏极电流 | 14.9 A |
| RDS -于 | 7@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 13 ns |
| 典型上升时间 | 7 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 34 ns |
| 典型下降时间 | 5 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 2500 |
| 最大漏源电压 | 40 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 7@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| 包装高度 | 1.5(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 14.9 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 14.9A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 7 mOhm @ 14.9A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3845pF @ 15V |
| 其他名称 | FDS8842NZTR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 73nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 14.9 A |
| 系列 | FDS8842NZ |
| 单位重量 | 0.006596 oz |
| RDS（ON） | 7 mOhms |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SOIC-8 Narrow |
| 上升时间 | 7 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 5 ns |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 漏源导通电阻 | 0.007 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOIC N |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 40 V |
| 弧度硬化 | No |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 4.9mm |
| 典型输入电容值@Vds | 2890 pF@ 15 V |
| 系列 | PowerTrench |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 1.575mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 11.1 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 3.9mm |
| 尺寸 | 4.9 x 3.9 x 1.575mm |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns |
| 典型关断延迟时间 | 34 ns |
| 封装类型 | SOIC |
| 最大连续漏极电流 | 14.9 A |
| 引脚数目 | 8 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 27 nC @ 5 V，52 nC @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | PowerTrench |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 14.9 A |
| 长度 | 4.9 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 7 mOhms |
| 身高 | 1.75 mm |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| 技术 | Si |
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