图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
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| 文档 |
Mold Compound 12/Dec/2007 |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 21A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 3.6 mOhm @ 21A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 91nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 3610pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽度 ) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16104?mpart=FDS6699S&vendor=261&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 包装 | 8SOIC N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 21 A |
| RDS -于 | 3600@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 11 ns |
| 典型上升时间 | 12 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 73 ns |
| 典型下降时间 | 38 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 3600@10V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 最大功率耗散 | 2500 |
| 最大连续漏极电流 | 21 |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 21A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 1mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 3.6 mOhm @ 21A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3610pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 91nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | FDS6699SCT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Quad Drain, Single, Triple Source |
| 外形尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm |
| 身高 | 1.5mm |
| 长度 | 5mm |
| 最大漏源电阻 | 3.6 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SOIC N |
| 典型栅极电荷@ VGS | 65 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 3610 pF V @ 15 |
| 宽度 | 4mm |
| 漏极电流（最大值） | 21 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 3.6 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 连续漏极电流 | 21 A |
| 晶体管极性 | :N Channel |
| Continuous Drain Current Id | :21A |
| Drain Source Voltage Vds | :30V |
| On Resistance Rds(on) | :3.6mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1.4V |
| 功耗 | :2.5mW |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOIC |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| Current Id Max | :21A |
| No. of Transistors | :1 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Pulse Current Idm | :106A |
| 端接类型 | :SMD |
| Voltage Vds Typ | :30V |
| Voltage Vgs Max | :20V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Weight (kg) | 0.0005 |
| Tariff No. | 85412900 |
| associated | RE932-01 EYGA121807A EYGA091203SM |
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